スピントロニクスデバイス

0403電子応用

エレクトロニクス産業に革命をもたらす画期的なスピントロニクス製造プロセスを開発(Researchers create breakthrough spintronics manufacturing process that could revolutionize the electronics industry)

2023-03-20 ミネソタ大学 米国ミネソタ大学の研究者と国立標準技術研究所(NIST)のチームは、新しいスピントロニクスデバイスの製造方法を開発し、コンピュータ、スマートフォン、および多くの他の電子機器を構成する半導体チップの新しい産...
1700応用理学一般

キラルフォノンが磁性体を介さずにスピン流を生成することに成功(Chiral Phonons Create Spin Current Without Needing Magnetic Materials)

2023-02-13 ノースカロライナ州立大学(NCState) ◆ノースカロライナ州立大学とノースカロライナ大学チャペルヒル校の研究者らは、キラルフォノンを用いて、磁性材料を用いずに、無駄な熱をスピン情報に変換することに成功しました。この...
0403電子応用

世界最高性能のスピントロニクス界面マルチフェロイク構造を実証 ~スピントロニクスデバイスの電圧情報書き込み技術へ新たな道~

2022-05-20 大阪大学,東京工業大学,科学技術振興機構 ポイント 強磁性体(磁石)と圧電体の接合構造(界面マルチフェロイク構造)において、スピントロニクス界面マルチフェロイク材料の世界最高性能を達成。 電界印加による磁化方向の繰り返...
0402電気応用

普及型の500倍 スピンで超高感度なひずみセンシングを実現

ハードディスクの読み取りヘッドや固体磁気メモリーに利用されているスピントロニクスデバイスをフレキシブル基板上に形成し、ひずみや圧力などの力学情報を検出するセンサーとして広く利用されている、フィルム型のひずみゲージを作製しました。広く普及しているフィルム型の金属箔ひずみゲージに比べ、約500倍ものひずみ検出感度を実現しました。
0403電子応用

磁壁におけるトポロジカル電流を観測

~省エネルギースピントロニクスデバイスの基礎原理を実証~ 平成29年12月8日 理化学研究所 東京大学 東北大学 金属材料研究所 科学技術振興機構(JST)
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