1700応用理学一般 左右の手のように異なる“キラル”分子構造が、太陽電池の性能を高める鍵に～CISS効果によるスピン選択的電荷輸送を活用した新たな戦略を提案～
2025-11-12 大阪大学,科学技術振興機構大阪大学の研究グループは、有機太陽電池の効率を飛躍的に高める新分子設計戦略を発表した。具体的には、鏡像関係にある「キラル」構造を持つ非フラーレンアクセプター（NFA）を開発し、電子スピンの選択...
スピントロニクス
1700応用理学一般 
0403電子応用 スキルミオンの流体挙動と論理ゲート機能を理論的に発見～ナノ磁気構造体の流体力学の創成とそのデバイス機能の開拓に道～
2025-11-04 信州大学信州大学の研究チームは、ナノスケール磁性構造「スキルミオン」が流体のように動く特性と、論理ゲートとして機能し得る性質を理論的に発見した。従来の電子ではなくスピン構造を情報キャリアとする「スピントロニクス」分野で...
1700応用理学一般 マンガンテルル化物のバルクオルターマグネティズムを実証（Bulk Altermagnetism in Manganese telluride）
2025-10-30 マックス・プランク研究所Web要約 の発言：マックス・プランク固体化学物理学研究所（MPI CPfS）は、マンガンテルル化物（MnTe）で「バルク・オルターマグネティズム（bulk altermagnetism）」を初...
0403電子応用 p波磁性体と呼ばれる新しいタイプの磁性体を実現～電流を用いた高効率な磁化制御などへ期待～
2025-10-23 理化学研究所,東京大学,高エネルギー加速器研究機構,J-PARCセンター,総合科学研究機構,日本原子力研究開発機構,科学技術振興機構理化学研究所・東京大学・高エネルギー加速器研究機構などの共同研究チームは、金属中で電子...
0403電子応用 電子スピンのトルクを2重にして磁壁移動を実現～次世代スピントロニクスメモリの省エネルギー・高速動作に道～
2025-10-20 東北大学東北大学金属材料研究所の関剛斎教授らの研究チームは、電子スピンによるトルク効果を2重に活用し、磁石中の磁壁を効率的に移動させることに成功した。研究では、白金(Pt)層で挟んだコバルト(Co)とイリジウム(Ir)...
スパッタリングにより成膜された磁性絶縁体の電流誘起磁化反転に成功～情報機器を大幅に省エネルギー化する技術開発を加速～
2025-10-10 九州大学九州大学の研究チームは、スパッタリング法で作製した磁性絶縁体「Y₃Fe₅O₁₂（YIG）」薄膜において、電流による磁化反転を世界で初めて実証した。これまで磁化制御には金属強磁性体が用いられていたが、絶縁体での成...
0403電子応用 キラルイオンゲート技術を世界初実証～分子対称性によるトポロジカル表面磁性の超省電力制御に成功～
2025-10-14 東京大学東京大学生産技術研究所の松岡秀樹特任助教・金澤直也准教授らは、キラル（左右非対称）なイオン液体を用いた「キラルイオンゲート」技術を世界で初めて実証した。トポロジカル強磁性薄膜FeSi(111)に適用し、従来の非...
1701物理及び化学 スピンの集団運動で熱の流れを操る新しい手法を実証 ～磁性体による革新的な熱輸送制御技術へ一歩前進～
2025-10-06 物質・材料研究機構）,東京大学,産業技術総合研究所,大阪大学,東北大学,科学技術振興機構物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームは、磁性体内部のスピンの集団運動（スピン波）を利用して、熱の流れを制御する新しい手法を実...
0501セラミックス及び無機化学製品 AI時代を支える新磁性体、二酸化ルテニウム薄膜の「交代磁性」を実証〜AI・データセンター向け高速・高密度メモリ開発に期待〜
2025-09-24 物質・材料研究機構,東京大学,京都工芸繊維大学,東北大学物質・材料研究機構（NIMS）は、二酸化ルテニウム（RuO₂）薄膜における交代磁性の実証に成功した。交代磁性はスピンが互いに打ち消し合う配置で強磁性とは異なるが、...
0403電子応用 カゴメ反強磁性体Mn3Geにおいて異常に強いマグノン-フォノン結合を直接実証（IBS Researchers Directly Demonstrate Unusually Strong Magnon-Phonon Coupling in Kagome Antiferromagnet Mn3Ge）
2025-09-22 韓国基礎科学研究院（IBS）韓国・基礎科学研究院（IBS）などの国際研究チームは、カゴメ格子反強磁性体Mn₃Geにおいて、極めて強いマグノン–フォノン結合を直接実証しました。Mn₃Geは単純な結晶構造を持つため、理論予...
世界初、室温における二次元層状磁石の電気的磁気制御～層状物質の隙間を電気的に精密制御し、二次元磁石の磁気特性を効率的に操作～
2025-08-29 九州大学九州大学理学研究院の飯森陸助教・木村崇教授らの研究グループは、二次元層状磁石の磁気特性を室温で電気的に制御することに世界で初めて成功しました。研究チームは強磁性体 Fe₃GaTe₂ 薄膜を強誘電体基板（PMN-...
0403電子応用 「スピン半導体」の動作速度の限界を超える新発見～反強磁性体の従来磁石材料に対する工学的優位性を世界で初めて実証～
2025-08-22 東北大学東北大学・物質・材料研究機構・日本原子力研究開発機構の研究チームは、カイラル反強磁性体Mn₃Snを用いて、スピン半導体の動作速度における「反強磁性体の強磁性体に対する工学的優位性」を世界で初めて実証しました。従...