0403電子応用 窒化ガリウム (GaN) に注入した微量元素の分布と電気的状態をナノスケールで可視化
窒化ガリウム (GaN) に注入した微量なマグネシウム (Mg) の分布や電気的状態を、ナノスケールで可視化することに世界で初めて成功した。Mgイオン注入によりGaNがp型半導体に変化するメカニズムの一端が明らかに。
0501セラミックス及び無機化学製品
0403電子応用 
0403電子応用 薬品処理と低温加熱だけでダイヤモンド基板の原子レベルの接合を可能に
化学薬品による表面処理でダイヤモンド基板をシリコン基板と直接接合する技術を開発。高温や超高真空プロセスを使わないダイヤモンド基板の原子レベルの直接接合を初めて実現。
0403電子応用 充電中に自己修復して長持ちする電池～原理検証に成功～
電力を蓄えることにより構造を修復する「自己修復能力」を持つ電極材料を発見した。
0403電子応用 第5世代IGZOを開発 ～モバイルから大型パネルサイズまで全面展開～
開発したIGZO5は、製膜などのプロセス条件の工夫により、液晶パネルの駆動性能を左右する電子移動度を約1.5倍(前世代IGZO比)に向上。大型ディスプレイの駆動用TFTとして一般的なアモルファスシリコンの約30倍の電子移動度を実現した。
0501セラミックス及び無機化学製品 全ての光を吸収する究極の暗黒シート～世界初！高い光吸収率と耐久性を併せ持つ黒色素材～
シリコーンゴムなどの表面に、あらゆる光をとらえて逃がさない光閉じ込め構造を形成することで、柔軟で耐久性にも優れた究極の暗黒シートを製造する技術の開発に成功した。
0501セラミックス及び無機化学製品 無機－有機 三次元ナノ構造体の新設計法を開発
モリブデン酸化物クラスターと有機分子を用いた「三次元ナノ構造体」の新設計法を発見した。重要な触媒材料でありながら安定性に課題があったモリブデン酸化物クラスターを、多種多様な用途の材料設計に自在に利用できるようになった。
0501セラミックス及び無機化学製品 ラッティンジャー半金属が歪みや磁場でワイル半金属に変身
ラッティンジャー半金属として知られるパイロクロア型イリジウム酸化物（Pr2Ir2O7）の高品質な薄膜の作製に世界で初めて成功し、電気・磁気輸送特性を詳細に調べることで、本物質が歪みや外部磁場によってワイル半金属となることを実証した。
0403電子応用 磁化を持たない反強磁性絶縁体のスピン制御へ向けて
絶縁体のスピン運動量ロッキングの設計2019-03-26 東京大学東京大学総合文化研究科の川野雅敬大学院生および堀田知佐准教授は、東北大学金属科学研究所の小野瀬佳文 教授（2018年度まで本学所属）と共同で、固体結晶で数多く見られる「磁...
0403電子応用 世界初、ガスからクラックのない1立方センチ級単結晶ダイヤモンドの作製に成功
ダイヤモンド半導体の開発推進により、飛躍的な省エネ社会実現に期待2019-03-20 新エネルギー・産業技術総合開発機構,産業技術総合研究所NEDOが管理法人を務める内閣府プロジェクト「戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）／次世代...
0403電子応用 ５G用低損失基板に向けた高強度異種材料接合技術を開発
ポリエステル膜の表面を、紫外光反応を用いる表面化学修飾技術により酸素官能基化し、ヒートプレスにより銅箔と接合する、高周波用のフレキシブルプリント配線基板（FPC）を作製できる高強度な異種材料接合技術を開発した。
0401発送配変電 超薄膜で超高効率：ペロブスカイトと CIGSe 半導体による薄膜タンデム太陽電池
(Ultra-thin and extremely efficient: Thin-film tandem cells made of perovskite and CIGSe semiconductors)ペロブスカイトと CIGSe の両半導体を組合せた、超薄膜高効率タンデム太陽電池を開発。
0501セラミックス及び無機化学製品 グラフェンの形成を簡便にする酸化グラフェン生地 『GO dough』
(‘GO dough’ makes graphene easy to shape and mold)自立的な 3D 形状に塑造できる、粘度のように柔らかな生地(dough)状の酸化グラフェン(GO)、『GO dough』を開発。