2024-12-23 アメリカ合衆国・ローレンスリバモア国立研究所 (LLNL)
The diagram shows high-repetition-rate laser bursts into LLNL’s Jupiter Laser Facility Titan target area (center), where the Big Aperture Thulium laser beams hit two target configurations: short-pulse irradiating liquid flow sheets for energetic particles (left) and long-pulse irradiating droplets for EUV generation and other experiments (right). (Illustration: Janelle Cataldo/LLNL)
ローレンス・リバモア国立研究所（LLNL）は、次世代の極端紫外線（EUV）リソグラフィー技術の研究を主導する新たなプロジェクトを立ち上げました。このプロジェクトでは、LLNLが開発した「Big Aperture Thulium（BAT）レーザー」を用いて、現在の二酸化炭素（CO₂）レーザーと比較して約10倍のEUV光源効率の向上を目指します。この研究は、半導体製造におけるEUVリソグラフィーの進化を促進し、より小型で高性能なチップの生産を可能にすることが期待されています。
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