2020-05-18 東京大学
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻の東垂水直樹博士研究員、長汐晃輔准教授らの研究グループは、関西学院大学の若林克法教授、国立交通大學のWen-Hao Chang教授らとの共同研究により、2次元層状物質である硫化錫（SnS）において単層を初めて成長させ、その強誘電特性を実証しました。
これまで強誘電特性は、材料の極薄化により特性を失うことが報告されており、近年の電子デバイスの微細化において大きな問題となっていました。本研究では、初めて面内分極を有する層状物質である硫化錫（SnS）において1 nmより薄い単層を物理蒸着法により成長し、その強誘電特性を実証しました。層状物質においても、面外分極を示す系においては、強誘電特性の劣化が観察されていることから、面内分極の優位性を示しています。これらの成果は、微細化に強いことから将来的なメモリや、圧電性を利用したナノ発電等への応用が期待されます。
本研究成果は、英国科学雑誌Nature Communications（5月 15 日 米国東部夏時間）に掲載されました。
