0403電子応用 二次元半導体ゲルマナンで高移動度のトランジスタを実現～次世代の層状半導体トランジスタの実現に道
2019-09-17 東京大学東京大学総合文化研究科の上野和紀准教授、深津晋教授らのグループは、ゲルマニウム原子を二次元シート状に配列して水素終端した構造をもつ層状半導体ゲルマナンを用いて p 型、n型の両側で動作するトランジスタを開発...
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