0403電子応用 低電圧かつ長寿命のハフニア系強誘電体メモリを開発
1ボルト以下の極めて低い動作電圧で100兆回の書き換え回数を達成できる強誘電体メモリの開発に成功。酸化ハフニウム系強誘電体の低温作製・極薄膜化・高い強誘電特性を両立させる技術を確立し、配線工程中での作製・低電圧でのデータ読み書き・高信頼性を備えた強誘電体メモリを実現。
0403電子応用
1701物理及び化学
1600情報工学一般
0402電気応用
0403電子応用
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1701物理及び化学
0402電気応用
0402電気応用
0502有機化学製品