1701物理及び化学 電子の強いスピン軌道相互作用がもたらす量子干渉によりフラットバンドが実現
遷移金属酸化物CsW2O6の理論モデルで、タングステン原子由来の強いスピン軌道相互作用によって、フラットなエネルギーバンドが現れることを発見した。電子がスピン軌道相互作用によってスピンの向きを回転させながら伝搬して量子干渉を起こすという新しいフラットバンドの発現機構を、数学的に厳密に明らかにした。
1701物理及び化学 
1702地球物理及び地球化学 方位磁石の指す北は動き続けています～日本の地磁気分布を表した図を５年ぶりに更新～
「地磁気値(予測値)計算サイト」(2020年4月6日公開) で使用する地磁気時空間モデルを「地磁気時空間モデルVer.2021」に更新しました。「地磁気値(予測値)計算サイト」では、磁気図2020.0年値(2020年1月1日時点の地磁気の値)以降に時間変化する地磁気の値を「予測値」として計算できます。
0405電気設備 ナノ結晶を電子の通り道とする酸化シリコン保護膜を実現～次世代シリコン系太陽電池の開発に期待～
シリコンナノ結晶により導電性を向上させた酸化シリコン保護膜を新たに開発しました。シリコン系太陽電池の長期信頼性向上や、異種材料を積層した高性能な次世代シリコン系太陽電池の開発などの貢献に期待できます。
1700応用理学一般 スパースモデリングに基づく磁区パターンの位相回復アルゴリズムを開発～シングルショット計測での活躍が期待～
磁区構造に含まれるミクロな磁石の多くは隣り合った磁石と同じ強さで同じ方向を向いている、という性質をスパースモデリングによって取り入れた位相回復アルゴリズムを開発し、本手法がノイズや欠損を含むデータの解析に有効であることを明らかにしました。
0400電気電子一般 MEMS技術を用いて薄型・小型の新型電子部品の開発に成功～金属・樹脂を用いた新たな製造手法で6G世代への進化に貢献～
MEMS技術を用いて幅1.2mm・厚さ0.25mmと従来に比べて格段に薄型・小型で、かつ優れた伝送特性を持つ電子部品の開発に成功しました。開発した手法では金属と樹脂を用いるため、コネクタやソケット、スイッチ、インダクターなど多方面の電子部品への応用展開が可能となります。
1701物理及び化学 磁性絶縁体内部で現れるマヨラナ粒子の性質を解明 ～磁場の方向によって粒子数を制御可能～
蜂の巣格子を持つ磁性絶縁体a-RuCl3 （塩化ルテニウム）の試料端（エッジ）においてマヨラナ粒子が存在することは報告されていましたが、試料内部（バルク）の状態は不明でした。磁場中比熱の精密測定により、試料内部でマヨラナ粒子が存在し、その現れやすさが蜂の巣格子面内での磁場方向に強く依存することが明らかとなりました。試料内部のマヨラナ粒子が、環境ノイズに強いトポロジカル量子コンピューターを可能にする「非可換エニオン」の元となる、というキタエフ模型の理論の基礎特性を裏付ける結果であり、非可換エニオンの理解が進展することが期待されます。
2100総合技術監理一般 日本初！電気設備の事故情報一元化を実現! ～情報公開により再発防止に貢献!!
発電、変電、送電、配電又は電気の使用のために設置する工作物（電気工作物）の事故情報を全国規模で集約したデータベースを構築し「詳報公表システム」として公開しました。
1700応用理学一般 人工次元フォトニクスの実証 ～ 新しい光物理のオンチップ搭載 ～
シリコンフォトニクス技術を用いて、トポロジカルフォトニクスに関連する光学現象の一つ「周波数人工次元」の観測に初めて成功した。
0500化学一般 翼型ナノグラフェンの合成と性質～2つの芳香環に囲まれた空間の芳香族性～
翼型含窒素ナノグラフェンの合成に成功し、その特徴的な構造の解析、ならびに酸化還元や芳香族性に関する物性解明を行いました。剛直なビシクロオクタジエン骨格を用いて、互いの磁気的・電子的性質が影響を及ぼし合う位置に空間配置されたHPHAC二量体が合成されました。単量体と同様に新たに合成された二量体も安定な酸化還元特性を示し、その折れ曲がった構造が形成する特徴的な集積化様式や二つの芳香環に囲まれた空間の芳香族性が増大されることが明らかにされました。
1200農業一般 「玄米貯蔵倉庫におけるコクゾウムシ管理の手引き」標準作業手順書を公開
玄米貯蔵倉庫で発見される害虫の4割を占めるコクゾウムシに対する、貯穀倉庫の管理手法をまとめた標準作業手順書を公開しました。フェロモントラップを用いたコクゾウムシのモニタリングの具体的手順と、その評価結果に基づいた玄米倉庫の衛生管理手法をわかりやすく紹介しています。
0500化学一般 遷移金属酸化物の近藤効果を初めて実証～電子相関物性の設計・探索の新たなプラットホームを開拓～
銅（Cu）とルテニウム（Ru）からなる酸化物（CaCu3Ru4O12）のX線光電子分光を測定し、独自に開発した計算パッケージを用いて、高精度な理論解析を行いました。CaCu3Ru4O12では、遷移金属の酸化物ではほとんど報告例がない近藤効果が実現していることを初めて実証しました
0405電気設備 低損失かつ高精度な電流検出機能で電源システムの小型化を実現するGaNデバイスに内蔵可能な世界初の集積回路技術を開発
GaN（窒化ガリウム）デバイスなどで構成されるハーフブリッジモジュール「HBモジュール」にシャントMOS（Metal Oxide Semiconductor）電流センサーを内蔵することにより、損失が増加しにくい電流検出と高い電流検出精度を両立するとともに、機器の小型化を実現する集積回路技術を世界で初めて開発しました。