0403電子応用 先端ロジック半導体のゲート絶縁膜の新技術を開発：界面層の薄層化とダイポール層への新規材料の導入によりトランジスタの性能向上へ 2026-06-09 東京大学技術研究組合最先端半導体技術センター（LSTC）は、NEDO事業の一環として、2nm世代以降（Beyond 2nm）の先端ロジック半導体向け新型ゲート絶縁膜技術を開発した。研究では、ゲート絶縁膜中のシリコン酸化... 2026-06-10 0403電子応用
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