窒化アルミニウム

ウルトラワイドバンドギャップ半導体基板実用化への道を拓く ― ホームメイド針状結晶を種とする窒化アルミニウム単結晶成長 ―

2026-06-17 東北大学東北大学の研究グループは、次世代ウルトラワイドバンドギャップ半導体材料として注目される窒化アルミニウム（AlN）の高品質単結晶を効率的に製造する新手法を開発した。AlNは深紫外LEDや高出力パワーデバイスの基板...

2026-06-17

0703金属材料

量子・スパコンハイブリッドコンピューティングにより窒化アルミニウム結晶中に発現する量子ビットを予測〜量子コンピュータ実機上でのFTQCアルゴリズムによる材料探索〜

2025-03-11 株式会社Quemix,旭化成株式会社,東京大学,量子科学技術研究開発機構図１．スピン欠陥とそれを活用した量子技術群株式会社Quemix、旭化成株式会社、東京大学、量子科学技術研究開発機構（QST）の研究グループは、...

2025-03-11

1600情報工学一般