0403電子応用 ロジック半導体の性能向上の鍵となるトランジスタ材料を開発~2次元材料MoS2と層状Sb2Te3での低コンタクト抵抗の実現~
2023-02-10 産業技術総合研究所ポイント スパッタリング法で、原子レベルで制御されたSb2Te3層状物質を形成 MoS2との異種層状物質界面(ファンデルワールス界面)形成で低コンタクト抵抗を実現 耐熱性があり量産も見込め、次世代CM...
0403電子応用
0403電子応用
0505化学装置及び設備
0107工場自動化及び産業機械
0505化学装置及び設備
0504高分子製品
1702地球物理及び地球化学
0501セラミックス及び無機化学製品
1700応用理学一般
0500化学一般
1600情報工学一般
0403電子応用