深紫外LED

ウルトラワイドバンドギャップ半導体基板実用化への道を拓く ― ホームメイド針状結晶を種とする窒化アルミニウム単結晶成長 ― 0703金属材料

ウルトラワイドバンドギャップ半導体基板実用化への道を拓く ― ホームメイド針状結晶を種とする窒化アルミニウム単結晶成長 ―

2026-06-17 東北大学東北大学の研究グループは、次世代ウルトラワイドバンドギャップ半導体材料として注目される窒化アルミニウム(AlN)の高品質単結晶を効率的に製造する新手法を開発した。AlNは深紫外LEDや高出力パワーデバイスの基板...
グラフェン-hBNのブレークスルーは、新しいLEDや量子コンピューティングに拍車をかけている(Graphene-hBN breakthrough to spur new LEDs, quantum computing) 0403電子応用

グラフェン-hBNのブレークスルーは、新しいLEDや量子コンピューティングに拍車をかけている(Graphene-hBN breakthrough to spur new LEDs, quantum computing)

高品質な六方晶窒化ホウ素をウェーハスケールで単層で製造する方法を初めて発見Study uncovers first method for producing high-quality, wafer-scale, single-layer h...
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