材料科学高等研究所

0402電気応用

熱や光などの刺激に強い原子層モット絶縁体の発見 ~室温で動作するモット電子デバイスの実現に道~

原子数個の厚さしか持たないTaSe2とNbSe2の原子層薄膜を作製し、その電子状態の観測に成功。原子層TaSe2とNbSe2が熱・電子注入・光に対して強いモット絶縁体であることを発見。
0501セラミックス及び無機化学製品

アモルファス相変化記録材料の局所構造をモデル化する技術を開発

アモルファス物質の局所構造を微細な電子線の回折からモデル化する技術を開発し、アモルファス相変化記録材料の局所構造の特徴を明らかにした。
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