2005放射線防護 宇宙線起因の熱中性子を99％以上遮蔽するガドリニウム金属箔を開発 ～半導体ソフトエラー低減に向けた新たな材料技術～ 2026-06-08 三井金属北海道大学と三井金属の研究グループは、宇宙線によって生成される熱中性子を99％以上遮蔽できる厚さ約0.1mmの極薄ガドリニウム金属箔を開発した。近年、航空機、通信設備、データセンターなどで使用される半導体デバイ... 2026-06-09 2005放射線防護
0403電子応用 単一電子が半導体チップに与える損傷を説明する新モデル（New model explains how single electrons cause damage inside silicon chips） 2026-04-14 カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）米国のカリフォルニア大学サンタバーバラ校の研究チームは、単一電子がシリコンチップ内部で損傷を引き起こす仕組みを説明する新モデルを提案した。半導体デバイスでは微小スケールでの... 2026-04-14 0403電子応用
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