0403電子応用 超低損失AlN系ショットキーバリアダイオードの試作に成功 ―低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体の実現に向け大きく前進― 2026-05-25 東京大学東京大学大学院工学系研究科とNTTは、超低損失なAlN系ショットキーバリアダイオード(SBD)の試作実証に成功した。成果はISPSD 2026で発表予定である。研究では、組成傾斜AlGaN耐圧維持層とAlN/A... 2026-05-25 0403電子応用