0403電子応用 原子をランダムに並べた新材料で高性能メモリー素子を実現～低消費電力で超高速の書き込みができる不揮発性メモリーの実用化に大きく前進～
2023-12-22 産業技術総合研究所 ポイント 不揮発性メモリー(SOT-MRAM)の微細配線に用いる新材料として、アモルファスW-Ta-B合金を開発 SOT-MRAMの実用化のために不可欠な「低い書き込み消費電力」と「優れた耐熱性」を...
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