0403電子応用 層状半導体への“キラリティ”の電気化学的書き込みに成功 −キラリティを介したスピン偏極の可逆スイッチングを実証− 2026-06-02 東京科学大学東京科学大学の黄柏融助教、谷口耕治教授らの研究チームは、層状半導体である二硫化モリブデン（MoS₂）の層間にキラル分子イオンを電気化学的に可逆挿入・脱離させることで、半導体のキラリティを電気的にON/OFF... 2026-06-03 0403電子応用
0403電子応用 化学結合なしで電気的に半導体をキラル化～「電気的キラリティ制御」という新パラダイムを開く～ 2025-12-15 東京科学大学本研究は、非キラルな半導体表面に対し、化学結合を介さず電気的手法のみでキラリティを誘起する新技術を実証した。キラル分子イオンを含むイオン液体を用いた電気二重層トランジスタを構築し、電場制御によってキラル分子... 2025-12-16 0403電子応用
0403電子応用 
0403電子応用 
0403電子応用