0403電子応用 電圧駆動による安定な磁気情報書き込みの新技術を開発 －超低消費電力な不揮発性メモリーMRAMの実現へ－
2026-04-03 産業技術総合研究所産業技術総合研究所（産総研）は、電圧によって磁気情報を書き込む新手法「電圧誘起スタティック磁化反転法」を開発し、次世代不揮発性メモリーMRAMの低消費電力化と高安定化を実現した。人工反強磁性体構造を用...
不揮発性メモリ
0403電子応用 
0403電子応用 強誘電体材料がデータ記録の可能性を拡大（Ferroelectric materials boost data storage potential）
2026-01-05 オークリッジ国立研究所（ORNL）米国オークリッジ国立研究所（ORNL）の研究チームは、強誘電体材料を用いて次世代データ記憶容量を大幅に高める可能性を示した。強誘電体は外部電場によって分極状態を反転でき、その状態を保持...
1700応用理学一般 新規ウルツ鉱構造の絶縁体物質の創生に成功～圧電体、強誘電体の材料群を飛躍的に増やす可能性を示唆～
2025-03-24 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）物質理工学院の研究チームは、マグネシウム（Mg）とシリコン（Si）を含む新たなウルツ鉱構造の窒化物絶縁体「MgSiN₂」の薄膜作製に成功しました。従来、ウルツ鉱...
0403電子応用 酸化物初の熱的相変化を活用した電気抵抗スイッチングを実証 ～多値記憶可能な相変化メモリーデバイスの実現に期待～
2023-09-06 東北大学大学院理学研究科化学専攻助教 河底 秀幸（かわそこ ひでゆき）【発表のポイント】 相変化メモリ（注1）は、電源を切っても記憶した情報が消えない不揮発性メモリの一種で、その動作原理である「熱的相変化を活用した電気...
0403電子応用 100兆回の書込みを保証する8MビットFRAMを開発
FRAM製品では初めてとなる100兆回の書込み回数を保証した製品として、パラレルインターフェースの8MビットFRAM「MB85R8M2TA」のサンプル提供を開始しました。本製品は、当社従来品よりもアクセススピードを約30%高速化するとともに、動作電流を10%削減しており、高速動作と低消費電力を両立させた不揮発性メモリです。これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に最適なメモリです。
0403電子応用 ワイル粒子を用いた不揮発性メモリ素子の原理検証に成功
反強磁性体中において、幻の粒子「ワイル粒子」の電気的制御に成功し、ワイル粒子の作る巨大電圧信号を利用した不揮発性メモリの動作原理を実証した。
0403電子応用 125℃動作のFRAMでは最大メモリ容量となる2Mビット品を開発
高温環境下での信頼性を保証する自動車、産業用ロボット向け不揮発性メモリ富士通セミコンダクター株式会社（注1）は、125℃での動作を保証するFRAM（注2）ファミリーとしては最大メモリ容量となる2MビットFRAM「MB85RS2MTY」を開発...