0403電子応用 ポスト5 G・6 Gの材料開発に向け、誘電体基板の温度特性を計測する技術を確立
高周波回路などに使われる金属張の誘電体基板に対し、誘電率と導電率の温度特性を10 GHz～100 GHz超の超広帯域で計測する技術を確立した。温度制御を可能にした超広帯域動作の共振器を開発することにより、これまで未確立であった、室温から100 ℃までの温度域での超広帯域のミリ波帯材料計測を実現した。
0403電子応用
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0403電子応用 微小な熱流によるナノスケールスキルミオンの駆動に成功
絶縁体中の直径約60ナノメートルの磁気渦「スキルミオン」のクラスターを微小な熱流によって駆動させることに成功した。廃熱を利用するグリーン情報技術への応用に向けた電子デバイスの開発につながるものと期待。
0403電子応用 スマホやロボットなどで高効率なAI処理を行うプロセッサーアーキテクチャーを開発
スマートフォンにおける先進的な拡張現実（AR）アプリケーションやロボットにおける柔軟な動作制御など、電力供給量などの制約が厳しいエッジ機器でも、高効率な畳み込みニューラルネットワーク（CNN）推論処理を行うプロセッサーアーキテクチャーを開発し、大規模集積回路（LSI）を試作した。高度なリアルタイムAI処理の単独での実行が期待できる。
0403電子応用 SiCパワーデバイス「TED-MOS®」の物理モデルに基づく高自由度設計技術を開発
デバイスが短絡した際の破壊原因となる過電流について、その抑制機構に関する物理モデルを構築した。さらに本物理モデルに基づき、「TED-MOS®」の構造的特長を生かした高自由度なデバイス設計技術を開発した。
0403電子応用 固体表面上の酸素原子を高分解能2次元NMRで測定する技術を開発
金属酸化物の固体表面解析に必須の動的核偏極核磁気共鳴法（DNP−NMR）で高速・高分解能なスペクトルを得ることができる測定技術（新型パルスプログラム）を開発した。これにより固体表面上に存在する酸素原子のNMRスペクトルをより高分解能で、かつ1時間という短時間で測定することに成功した。
0403電子応用 創発インダクタの室温動作を実証 ～インダクタ素子の微細化に向けた飛躍～
「創発電磁場」と呼ばれるナノ磁気構造がもたらす巨大な実効電磁場を利用した「創発インダクタ」の室温動作に成功した。創発インダクタの応用化に向けて課題となっていた動作温度の飛躍的な向上を実現したもので、身の回りの電気機器に必要な素子の1つであるインダクタの微細化につながることが期待できる。
0403電子応用 世界最小、指先サイズの波長掃引量子カスケードレーザーを開発
独自の微小電気機械システム（MEMS）技術と光学実装技術を活用し、従来製品の約150分の1となる世界最小サイズの波長掃引量子カスケードレーザー（QCL）を開発した。
0403電子応用 レーザー技術のブレイクスルー (A Laser Breakthrough)
シリコンチップに半導体レーザーとマイクロ共振器をヘテロ集積したソリトンマイクロコムを開発。
0403電子応用 室温で右巻き・左巻き円偏光発光を自在に切替～次世代量子通信の光源技術としての応用に期待～
原子スケールの厚みを持つ半導体に歪みを与えることで、室温において右巻き・左巻き円偏光発光を電気的に生成及び切替可能な発光デバイスの実現に成功した。
0403電子応用 グリーンな材料で作るインテリジェントな自立型電子マイクロシステム
自己給電しながら入力情報にスマートに反応する、自律的な有機体のような電子マイクロシステムを開発。
0403電子応用 原子層制御により磁気メモリー素子の平坦性および磁気安定性を改善
原子層レベルで制御されたタンタルを用いることで、磁気抵抗メモリー「MRAM」の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発した。
0403電子応用 自動運転技術をブーストする超高感度光検出器 (Ultra-sensitive Light Detector Gives Self-Driving Tech a Jolt)
マルチステップ型のアバランシェフォトダイオード(APD)による超高感度光検出デバイスを初めて開発。