次世代データストレージ向け積層半導体材料の可能性(Layered semiconductor shows potential for next-gen data storage)

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2025-04-28 ワシントン州立大学 (WSU)

ワシントン州立大学(WSU)の研究チームは、次世代データストレージ技術に応用可能な新しい層状半導体材料を開発しました。この「柔らかい」層状材料は、従来のシリコンベースの半導体とは異なり、柔軟性と高いデータ保持能力を兼ね備えています。研究者たちは、この材料が高密度でエネルギー効率の良いデータストレージデバイスの基盤となる可能性があると述べています。

<関連情報>

静水圧下におけるβ-ZnTe(en)0.5の相転移
Phase transitions of β-ZnTe(en)0.5 under hydrostatic pressure

Julianne C. Miller;Yizhou Wang;Yong Zhang;Thomas A. Schmedake;Matthew D. McCluskey
AIP Advances  Published:April 04 2025
DOI:https://doi.org/10.1063/5.0266352

次世代データストレージ向け積層半導体材料の可能性(Layered semiconductor shows potential for next-gen data storage)

Organic–inorganic hybrid semiconductors have enhanced and distinctive material properties. β-ZnTe(en)0.5, which consists of alternating layers of two-monolayer-thick zinc telluride (ZnTe) and ethylenediamine (en), exhibits high crystallinity, stability, and tunable optical properties. Using x-ray diffraction (XRD) and Fourier transform infrared spectroscopy, this study investigated the structural response of β-ZnTe(en)0.5 to applied hydrostatic pressure. Pressure-induced phase transitions were observed at 2.1 and 3.3 GPa. Shifts in the XRD peaks indicate substantial anisotropy in the pressure response, with the layer stacking direction (b axis) exhibiting high compressibility. The a and b lattice parameters showed −0.55% strain/GPa and −2.26% strain/GPa, respectively, contradicting theoretical calculations that predicted a more isotropic response. IR spectroscopy revealed abrupt changes in NH2 and CH2 vibrational modes corresponding to the phase transitions.

1700応用理学一般
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