世界初、SiC CMOS駆動回路を内蔵したパワーモジュールによるモーター駆動を実現~高速スイッチング動作時のノイズ低減により低損失化を達成~

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2025-03-12 産業技術総合研究所

世界初、SiC CMOS駆動回路を内蔵したパワーモジュールによるモーター駆動を実現~高速スイッチング動作時のノイズ低減により低損失化を達成~

国立研究開発法人 産業技術総合研究所(産総研)は、株式会社明電舎と共同で、世界で初めてSiC CMOS駆動回路を内蔵したパワーモジュールによるモーター駆動を実現しました。 この技術により、高速スイッチング動作時のノイズを低減し、モーターシステムの信頼性向上と低損失化が可能となります。

  • SiC CMOS駆動回路の内蔵: SiC(シリコンカーバイド)CMOS駆動回路をパワーモジュール内に組み込み、モーター駆動を世界で初めて実現しました。

  • ノイズ低減と信頼性向上: 独自の駆動方法を開発し、高速スイッチング動作時のノイズを低減。これにより、モーターシステムの信頼性が向上しました。

  • エネルギー損失の大幅削減: 従来のパワーモジュールと置き換えるだけで、スイッチング動作時のエネルギー損失(スイッチングロス)を約10分の1に低減することが可能となりました。

この技術は、電気自動車や産業機器のモーターシステムの省エネルギー化に寄与し、カーボンニュートラルの実現に貢献することが期待されています。

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