0403電子応用 界面の高品質化と平坦性向上によりSiC半導体の性能を6~80倍向上
SiC(シリコンカーバイド)半導体で問題になっていた欠陥(不完全性)を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。
0403電子応用
1204農業及び蚕糸
1700応用理学一般
1701物理及び化学