0505化学装置及び設備 世界最高の水素分離性能を有する酸化グラフェン膜を開発～耐湿性を飛躍的に改善し、実用化に大きく前進～
酸化グラフェン(GO)膜にナノダイヤモンド(ND)を組み込むことで、水素のみを透過させる物理的なフィルターの機能を保ちながら、最大の課題であった耐湿性を著しく向上させることに成功し、実用化に向けて大きく前進しました。
0505化学装置及び設備 
1700応用理学一般 世界初、ダイヤ中の電子と光子の幾何学的な量子もつれの生成に成功
ダイヤモンド中の電子をゼロ磁場環境で制御することで、電子と自然放出される光子の幾何学的な量子もつれの生成に世界で初めて成功しました。
0105熱工学 多様な再エネ熱を熱源としたヒートポンプシステムの実証試験を開始
NEDOは「再生可能エネルギー熱利用にかかるコスト低減技術開発」に取り組んでおり、このたび同事業で鹿島建設（株）とゼネラルヒートポンプ工業（株）は共同で、（株）豊田自動織機大府工場（愛知県大府市）に天空熱源ヒートポンプ（SSHP®）システムを設置し、実証試験を開始しました。
1702地球物理及び地球化学 令和3年12月9日11時5分のトカラ列島近海の地震に伴う地殻変動～現時点では顕著な地殻変動は見られません。～
令和３年（2021年）12月９日11時５分にトカラ列島近海で発生した地震について、震源域周辺の電子基準点で観測された12月15日８時59分までのデータを解析した結果、現時点では、ばらつきを超える顕著な地殻変動は見られません。
0201船舶 コンテナ船WAN HAI 316 座洲（愛知県名古屋港4B錨地、平成31年4月4日発生）
コンテナ船 WAN HAI 316は、船長ほか20人が乗り組み、水先人2人が水先業務に当たり、船首喫水約8.5m、船尾喫水約9.6mで愛知県名古屋港ポートアイランドの東方約770mの海上を右回頭中、平成31年4月4日20時59分ごろ水深約6mの名古屋港4B錨地に座洲した。
0201船舶 貨物船千勝丸貨物船すみほう丸衝突事故（千葉県銚子市犬吠埼南方沖、令和元年5月26日発生）
貨物船千勝丸は、船長ほか4人が乗り組み、濃霧により視界が制限された千葉県銚子市犬吠埼南方沖において、阪神港に向けて南西進中、貨物船すみほう丸は、船長ほか3人が乗り組み、宮城県仙台塩釜港に向けて北東進中、令和元年5月26日02時09分ごろ両船が衝突した。
0405電気設備 500Wh/kg級リチウム空気電池を開発～世界最高レベルのエネルギー密度を実証～
現行のリチウムイオン電池の重量エネルギー密度（ワットアワー／キログラム）を大きく上回る５００ワットアワー／キログラム級リチウム空気電池を開発し、室温での充放電反応を実現しました。さらに、世界中で報告されているリチウム空気電池の性能の網羅的な調査により、ＮＩＭＳが開発したリチウム空気電池は、エネルギー密度ならびに、サイクル数の観点で世界最高レベルであることを示しました。
1701物理及び化学 惑星の明るさの計算方法が変わりました
国立天文台の「暦象年表」2022年版からは、惑星の明るさの計算方法を、1986年以降長く使っていた方法から、太陽観測探査機SOHOの観測成果などを反映させた最新の方法に変更しました。この変更によって、金星の最大光度が明るくなったり、内合前後の増光現象について改善されたりしています。
1604情報ネットワーク 電子レシート化に伴う 環境貢献度見える化アプリの提供を開始
電子レシートサービス「スマートレシート®」を活用して、SDGs貢献の取組みとしてレシート電子化に伴う紙レシート削減量(cm)、CO2削減量(リットル)を推計(*1)し、数値化することを可能にしたWebアプリ「わたしの環境貢献度」を提供開始しました。
1701物理及び化学 宇宙では、波から波へのエネルギー輸送をイオンが中継
宇宙空間において プラズマの波が、イオンとの相互作用を介して別の波へと変わる様子を、世界で初めて発見しました。エネルギーや起源が異なるイオン・電子が電波を介してエネルギーをやり取りする過程の一端を実証的に観測したもので、宇宙空間に存在するイオン・電子のエネルギーの多様性を実証する重要な成果です。
1700応用理学一般 強磁場発生装置を用いない量子抵抗標準素子の開発に成功
トポロジカル絶縁体を応用、国家計量標準と同等精度の電気測定がより手軽に021-12-14 産業技術総合研究所ポイント 新材料トポロジカル絶縁体を応用することで、強磁場発生装置が不要な量子抵抗標準素子を開発 素子の品質向上により安定性を大幅改...
0403電子応用 オングストローム世代半導体製造技術での 磁気抵抗メモリー基盤技術を確立
高速書き込み動作を特徴づける時定数を制御できる磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（ＳＴＴ－ＭＲＡＭの情報記憶素子）の構造を提案し、５ナノメートル以下の直径を持つＭＴＪ素子で３．５ナノ秒までの高速書き込み動作を実証しました。これは、ＳＴＴ－ＭＲＡＭが将来のオングストローム世代半導体製造技術でのＳＲＡＭや高速ＤＲＡＭの代替として使えることを示す重要な成果です。