0403電子応用 新規窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明~高周波GaNトランジスタの性能向上に道筋~
2025-07-07 東京大学東京大学と住友電工は、新規窒化物半導体ScAlN/GaNヘテロ接合の高品質成長に成功し、その界面で形成される高密度二次元電子ガス(2DEG)の電子移動度が界面ラフネス散乱によって制限されていることを初めて明確に...
0403電子応用
1702地球物理及び地球化学
0403電子応用
1200農業一般
1206農村環境
1904環境影響評価
0502有機化学製品
1304森林環境
0504高分子製品
1702地球物理及び地球化学
1701物理及び化学