HYFOR パイロットプラント稼働開始 カーボンフリー水素還元製鉄は次ステップへ 0701鉄鋼生産システム

HYFOR パイロットプラント稼働開始 カーボンフリー水素還元製鉄は次ステップへ

フェストアルピーネ ドナヴィッツ製鉄所構内の HYFORパイロットプラントで最初のテストが成功。 還元剤には純水素を使用し、CO2排出量はほぼゼロ。塊成化工程が不要のため、設備投資額と操業費用が低コスト。粒径が 0.15 mm 未満の微粉鉄精鉱を処理する世界で唯一のプロセス。
水道管の損傷をリアルタイム検出する環境に優しいデバイス 0502有機化学製品

水道管の損傷をリアルタイム検出する環境に優しいデバイス

水道管の損傷をリアルタイムに検出して水漏れを防止する、グリシンを使用した低コストで環境に優しいセンサーを開発。
超音波で身体プロセスを測定する皮下注射できる微細なワイヤレスチップ 0403電子応用

超音波で身体プロセスを測定する皮下注射できる微細なワイヤレスチップ

エネルギー供給とワイヤレス通信に超音波を利用する、皮下注射可能な世界最小の単一チップによるシステムを開発。
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グラフェンが鍵となるハードウェア・セキュリティの新技術 (Graphene key for novel hardware security) 1601コンピュータ工学

グラフェンが鍵となるハードウェア・セキュリティの新技術 (Graphene key for novel hardware security)

グラフェンベースの物理複製困難関数(PUF)デバイスを初めて開発。低電力、スケーラブルで再構成可能なハードウェアセキュリティーデバイスとして、人工知能(AI)による攻撃に対する極めて高い抵抗力を有する。
BYU のホログラム専門家が作る空中で動く実画像 1603情報システム・データ工学

BYU のホログラム専門家が作る空中で動く実画像

シンプルなアニメーションを空中に結像する技術を開発。時間変動的透視映像バックドロップの採用により OTD 技術の制限要因を克服し、仮想イメージのシミュレーションを可能にした。
爆発物、ウィルスや違法薬物を分子レベルで検出するセンサー 0505化学装置及び設備

爆発物、ウィルスや違法薬物を分子レベルで検出するセンサー

爆発物、ウィルスや違法薬物を分子レベルで検出する薄膜サーモダイナミックセンサーを開発し、その有効性を実証。
地球形成初期、鉄への水素の溶け込みは硫黄に阻害されていた 1701物理及び化学

地球形成初期、鉄への水素の溶け込みは硫黄に阻害されていた

地球形成初期を模擬した高温高圧下での中性子回折実験を行い、鉄に取り込まれた水素の量を決定した。硫黄の共存によって鉄の水素化が抑制されることが分かった。
次世代有機LED材料の電子の動きを直接観察することに成功~発光効率低下の原因を解明~ 0500化学一般

次世代有機LED材料の電子の動きを直接観察することに成功~発光効率低下の原因を解明~

改良した時間分解光電子顕微鏡(TR-PEEM)を用いることで、構造がよく制御された熱活性型遅延蛍光(TADF)材料の薄膜に対して、TADF発光過程の電子のダイナミクスを直接観察することが初めて可能に。励起電子の生成から、発光による失活、また、濃度消光と呼ばれる特異な無輻射失活過程までの電子の動きを捉えることに成功した。
小型・集積化につながるダイヤモンド量子センサのスピン情報の電気的読み出しに成功 0403電子応用

小型・集積化につながるダイヤモンド量子センサのスピン情報の電気的読み出しに成功

量子センサとして機能するダイヤモンド中の窒素-空孔(NV)センタのスピン情報を、ダイヤモンドデバイスを用いて電気的に検出することに成功した。
環のすり抜けにより力を可視化する蛍光プローブ ~材料が受けるpNオーダーの力を2段階で評価する~ 0500化学一般

環のすり抜けにより力を可視化する蛍光プローブ ~材料が受けるpNオーダーの力を2段階で評価する~

「環のすり抜け」を巧みに利用した、力を可視化する分子ツールの開発に成功。力に応じて、蛍光特性の可逆・不可逆変化が段階的に切り替わることを実証。
IoTオープンプラットフォーム「トリリオンノード・エンジン」向け はんだ付け不要で容易に着脱できるコネクター技術について 0400電気電子一般

IoTオープンプラットフォーム「トリリオンノード・エンジン」向け はんだ付け不要で容易に着脱できるコネクター技術について

IoT機器を簡単に作製できるオープンプラットフォーム「トリリオンノード・エンジン」向けに、はんだ付け不要で容易に着脱できる2つのコネクター技術を評価した。
SiC MOSFETの高温環境下における信頼性向上と 電力損失低減を実現するデバイス構造を開発 0403電子応用

SiC MOSFETの高温環境下における信頼性向上と 電力損失低減を実現するデバイス構造を開発

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETの高温環境下における信頼性向上と電力損失低減を実現するデバイス構造を開発した。
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