n型導電性チャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ

0403電子応用

世界初のn型導電性チャネルダイヤモンド電界効果トランジスタを開発~ダイヤモンドCMOS集積回路への道~

2024-01-25 物質・材料研究機構 NIMSは、世界で初めてダイヤモンドのn型チャネル動作による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) を開発しました。 概要 NIMSは、世界で初めてダイヤモンドのn型チャネル動作によ...
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