MOCVD

二次元半導体の直接成長ウェハ上でのトランジスタ基本動作を初実証 ―転写プロセスに頼らない集積回路用プラットフォームへ道―

2026-07-09 東京大学東京大学、物質・材料研究機構（NIMS）、名古屋大学の共同研究グループは、二次元半導体である単結晶二硫化モリブデン（MoS₂）を、従来必要とされていた転写工程を経ることなく、成長させたサファイア基板上で直接トラ...

2026-07-09

0403電子応用