Mn3Sn

反強磁性体を用いたトンネル磁気抵抗効果の理論予測～次世代高密度・超高速磁気メモリーの開発に貢献～

2026-04-17 東京大学,JSR株式会社,京都大学,東京都立大学,東北大学,理化学研究所,科学技術振興機構本研究は、東京大学などの研究グループが、ノンコリニア反強磁性体を用いた磁気トンネル接合（MTJ）において、大きなトンネル磁気抵抗...

2026-04-17

0403電子応用