0403電子応用 超高速・超低省電力で動作する不揮発量子スイッチング素子 ―40ピコ秒動作、次世代コンピュータ・データセンター省エネへ― 2026-05-15 東京大学東京大学と理化学研究所などの研究グループは、反強磁性体Mn3Snを用いた超高速・超低消費電力の不揮発量子スイッチング素子を開発した。研究成果は『Science』に掲載された。従来のCPUやGPUでは高速化に伴い... 2026-05-18 0403電子応用
0403電子応用 反強磁性体を用いたトンネル磁気抵抗効果の理論予測 ～次世代高密度・超高速磁気メモリーの開発に貢献～ 2026-04-17 東京大学,JSR株式会社,京都大学,東京都立大学,東北大学,理化学研究所,科学技術振興機構本研究は、東京大学などの研究グループが、ノンコリニア反強磁性体を用いた磁気トンネル接合（MTJ）において、大きなトンネル磁気抵抗... 2026-04-17 0403電子応用
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