Ca3SiO

0403電子応用

毒性元素を含まない直接遷移型の近赤外線向け半導体を発見

テルル化カドミウム水銀、ヒ化ガリウムを代替する近赤外線用素子実現への期待 2020-12-11 物質・材料研究機構,東京工業大学 元素戦略研究センター NIMSは東京工業大学と共同で、安価で毒性の無いカルシウム、シリコン、酸素から構成される...
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