窒化ガリウムデバイス

GaN（窒化ガリウム）デバイスなどで構成されるハーフブリッジモジュール「HBモジュール」にシャントMOS（Metal Oxide Semiconductor）電流センサーを内蔵することにより、損失が増加しにくい電流検出と高い電流検出精度を両立するとともに、機器の小型化を実現する集積回路技術を世界で初めて開発しました。