多層薄膜デバイスの膜界面構造の最適化

次世代の情報処理デバイスの主要材料、反強磁性体であるマンガン化合物Ｍｎ３Ｓｎと重金属からなる多層薄膜デバイスの膜界面構造の最適化を試み、電気的に読み書き可能な信号をこれまで報告されていた値よりも３倍大きくすることに成功した。