0403電子応用 高性能p型2次元半導体をウエハースケールで実現 ―原子1層BCNが次世代の相補型電子回路への道を拓く―
2026-10-01 東京大学東京大学などの国際研究チームは、原子1層の窒化ホウ素（BN）格子に炭素を原子レベルで置換して取り込むことで、**高性能なp型2次元半導体・ホウ素炭素窒化物（BCN）**を実現した。2種類の原料分子の分解・表面反...
化学気相成長
0403電子応用 
0403電子応用 高性能P型2次元半導体MoSi₂N₄単結晶のウェハー規模成長に成功（Scientists Achieve Wafer-Scale Growth of High-Performance P-Type 2D Semiconductor MoSi₂N₄ Single Crystals）
2026-08-28 中国科学院（CAS）中国科学院金属研究所の研究チームは、p型二次元（2D）半導体である単層MoSi₂N₄のウエハースケール・エピタキシャル単結晶成長に成功した。Cu(111)単結晶基板上で化学気相成長法を用い、基板表面...
0501セラミックス及び無機化学製品 次世代半導体材料SnSの大面積単層結晶の合成技術を確立～ 光電融合デバイスや高速情報処理技術への応用が期待～
2025-05-03 東北大学東北大学大学院工学研究科の研究チームは、次世代半導体材料として注目される一硫化スズ（SnS）の大面積単層結晶の合成技術を確立しました。高純度のスズ（Sn）と硫黄（S）を用いた化学気相成長（CVD）法により、高品...