0403電子応用 二次元半導体の直接成長ウェハ上でのトランジスタ基本動作を初実証 ―転写プロセスに頼らない集積回路用プラットフォームへ道―
2026-07-09 東京大学東京大学、物質・材料研究機構（NIMS）、名古屋大学の共同研究グループは、二次元半導体である単結晶二硫化モリブデン（MoS₂）を、従来必要とされていた転写工程を経ることなく、成長させたサファイア基板上で直接トラ...
二次元半導体
0403電子応用 
0403電子応用 極薄トランジスタが次世代省エネルギーチップを前進させる（Extremely thin transistors bring future energy-efficient chips a step closer）
2026-07-06 チャルマース工科大学スウェーデンのチャルマース工科大学の研究チームは、将来の超低消費電力半導体の実現に向け、原子数層レベルまで薄い二次元半導体を用いた高性能トランジスタを開発した。半導体微細化が物理的限界に近づく中、二...
0403電子応用 2次元半導体で室温量子発光を実現（Bright Quantum Light Emission Achieved at Room Temperature in 2D Semiconductors）
2026-04-14 韓国基礎科学研究院（IBS）韓国IBSの研究チームは、二次元半導体において室温で高効率な量子発光を実現した。従来は低温や複雑な電気制御が必要だったが、本研究ではMoS₂単層下にナノホール構造を形成し、励起子を局所的に閉...
0402電気応用 二次元半導体ヘテロ界面における磁気バルク光起電力効果の実証～量子力学的な効果を利用した太陽電池デバイスへの新たな設計指針～
2025-06-02 京都大学京都大学エネルギー科学研究科とエネルギー理工学研究所の研究チームは、二次元半導体と磁気層状物質を組み合わせたヘテロ界面において、磁気バルク光起電力効果を実証しました。この効果は、従来のp-n接合型太陽電池の限界...
0403電子応用 中国の科学者、計算能力を向上させる原子レベルの超薄型チップを開発（Chinese scientists develop atoms-thin chips to boost computational power）
2025-04-05 復旦大学中国の研究チームが、原子数層の厚さしかない半導体マイクロプロセッサ「WUJI」を開発しました。この32ビットRISC-Vプロセッサは、二次元半導体を基盤としており、5,900個のトランジスタと25種類の論理ユ...
0403電子応用 次世代3Dトランジスタがエネルギー効率の高い電子機器を変革（Next-Gen 3D Transistors Transform Energy-Efficient Electronics）
2025-03-19 カリフォルニア大学サンタバーバラ校 (UCSB)カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）の研究者たちは、二次元（2D）半導体を用いた新しい三次元（3D）トランジスタ「NXFET」を開発し、エネルギー効率と性能の...