不揮発メモリ

超高速・超低省電力で動作する不揮発量子スイッチング素子 ―40ピコ秒動作、次世代コンピュータ・データセンター省エネへ―

2026-05-15 東京大学東京大学と理化学研究所などの研究グループは、反強磁性体Mn3Snを用いた超高速・超低消費電力の不揮発量子スイッチング素子を開発した。研究成果は『Science』に掲載された。従来のCPUやGPUでは高速化に伴い...

2026-05-18

0403電子応用

省電力次世代記憶素子材料の開発に向けて

アルミ酸化膜を用いた新しい不揮発メモリの電子状態の観測に成功『原子力機構の研究開発成果2020-21』P.62図5-16　アモルファスアルミ酸化物の内部構造のイメージ図アモルファスアルミ酸化物では、酸素原子とアルミニウム原子が不規則に空間配...

2020-11-30

0403電子応用2004放射線利用