0403電子応用 パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を拡大～一般的な3本足パッケージのパワー半導体にも適用可能に～
2025-03-17 東京大学東京大学生産技術研究所の高宮真教授らの研究グループは、パワー半導体のスイッチング損失を自動で低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を拡大した。従来は4本足パッケージに限られていたが、今回の改良により、一般的な3...
パワー半導体
0403電子応用 
0403電子応用 パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を約5倍に拡大します～一般的な3端子パッケージのパワー半導体にも適用可能に～
2025-03-17 新エネルギー・産業技術総合開発機構図1 開発した自動波形変化ゲート駆動ICのチップ写真（提供：東京大学生産技術研究所）国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は、東京大学生産技術研究所を中心と...
0403電子応用 シリコンカーバイド（SiC）量子センサーの高感度化を実現！ ～次世代パワー半導体の信頼性向上へ～
2023-09-06 量子科学技術研究開発機構ポイント 量子操作によってシリコンカーバイド（SiC）量子センサーの温度感度を 倍以上向上 これまでの手法では測れなかった100℃以上の高温領域での測定に成功 電源機器等での製品化が進む パワー...
0403電子応用 世界初、ガスからクラックのない1立方センチ級単結晶ダイヤモンドの作製に成功
ダイヤモンド半導体の開発推進により、飛躍的な省エネ社会実現に期待2019-03-20 新エネルギー・産業技術総合開発機構,産業技術総合研究所NEDOが管理法人を務める内閣府プロジェクト「戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）／次世代...
0403電子応用 SiCパワー半導体技術を用いた高出力高安定化電源の開発
次世代のパワー半導体デバイスである「SiC MOSFET」を用いて、高出力と高い安定性を両立しつつ、出力電流の方向や大きさを広い範囲で変えられるコンパクトなパルス電源を開発した。