ニオブ

遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功～GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張～

2026-09-07 東京理科大学,東京大学,三重大学東京理科大学、東京大学、三重大学の研究グループは、遷移金属ニオブ（Nb）を含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の単結晶エピタキシャル薄膜を、GaN上に作製することに初めて成功した...

2026-09-07

0403電子応用