スピントロニクス

反強磁性体における新たな光学現象を観測~電場印加により光の吸収が変化する性質を用いた磁区構造の可視化~ 1700応用理学一般

反強磁性体における新たな光学現象を観測~電場印加により光の吸収が変化する性質を用いた磁区構造の可視化~

2025-01-17 東京大学発表のポイント◆ 時間反転対称性の破れた反強磁性体における新たな非相反光学現象「電場誘起方向二色性」の観測に成功しました。◆ 電場誘起方向二色性を利用することで、従来難しいとされてきた反強磁性体の磁区構造を簡便...
磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現~磁場でも制御可能なメモリスタの開拓~ 0403電子応用

磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現~磁場でも制御可能なメモリスタの開拓~

2025-01-10 東京大学発表のポイント 強磁性体/酸化物/半導体多層膜を電極とし半導体をチャネルとした二端子素子を作製し、定電圧下において、印加された磁場の履歴を記憶でき、それを巨大な抵抗変化として読み出せるメモリ(メモリスタ)を実現...
NanoTerasu×組成傾斜膜による超高効率な電子構造解析に成功 ~約1日の実験でハーフメタルの最適組成を同定、実用スピントロニクス材料開発加速に期待~ 1700応用理学一般

NanoTerasu×組成傾斜膜による超高効率な電子構造解析に成功 ~約1日の実験でハーフメタルの最適組成を同定、実用スピントロニクス材料開発加速に期待~

2025-01-09 物質・材料研究機構,東北大学,光科学イノベーションセンター,科学技術振興機構NIMS、東北大学と光科学イノベーションセンターからなる研究チームは、わずか1日の実験で、ハーフメタル性を有するCo-Mn-Siホイスラー合金...
ad
高性能スピントロニクス界面マルチフェロイク構造の信頼性を飛躍的に向上 ~次世代低消費電力メモリーへの応用に向けて前進~ 1700応用理学一般

高性能スピントロニクス界面マルチフェロイク構造の信頼性を飛躍的に向上 ~次世代低消費電力メモリーへの応用に向けて前進~

2024-12-27 大阪大学,科学技術振興機構ポイント 次世代のスピントロニクスデバイスで使用される電圧情報書き込み技術(界面マルチフェロイク構造)に関して、スピントロニクス強磁性体(磁石)と圧電体の接合構造に金属バナジウム(V)界面原子...
テラヘルツレーザーで物質の磁性を生成(Physicists magnetize material using light) 1700応用理学一般

テラヘルツレーザーで物質の磁性を生成(Physicists magnetize material using light)

2024-12-18 カリフォルニア工科大学(Caltech)マサチューセッツ工科大学(MIT)の物理学者たちは、テラヘルツレーザーを用いて、光のみで物質を磁化する新たな技術を開発しました。この手法により、従来は制御が難しかった反強磁性材料...
テラヘルツ波がスピン流に変換される機構を実証・解明 ~通信、メモリー技術を革新する“スピントロニクス”発展に寄与~ 1700応用理学一般

テラヘルツ波がスピン流に変換される機構を実証・解明 ~通信、メモリー技術を革新する“スピントロニクス”発展に寄与~

2024-12-18 名古屋大学名古屋大学大学院工学研究科の森山 貴広 教授、服部 冬馬 博士前期課程学生、夛田 圭吾 学部生らの研究グループは、福井大学遠赤外領域開発研究センター・石川 裕也 講師、藤井 裕 教授、山口 裕資 准教授、立松...
磁性体の体積はスピン流で変化する~スピントロニクスを応用した精密機械の力学制御に道~ 0403電子応用

磁性体の体積はスピン流で変化する~スピントロニクスを応用した精密機械の力学制御に道~

2022-05-12 東京大学1.発表者:有沢  洋希(東北大学 金属材料研究所 博士課程3年)小野  崇人(東北大学 大学院工学研究科 教授)Hang Shim(研究当時:東北大学 大学院工学研究科 博士課程学生)齊藤  英治(東京大学 ...
半導体が磁石にもなるとき何が起こるのか? 1700応用理学一般

半導体が磁石にもなるとき何が起こるのか?

エレクトロニクスから次世代スピントロニクス社会実現への一歩2020-12-04 日本原子力研究開発機構,東京大学,京都産業大学【発表のポイント】 エレクトロニクスとスピンを融合したスピントロニクス技術で鍵を握る「強磁性半導体」について、これ...
有機分子で初めてスピン移行に成功~分子を利用した集積量子演算への第一歩~ 0403電子応用

有機分子で初めてスピン移行に成功~分子を利用した集積量子演算への第一歩~

磁石の性質を持つ有機分子に対しスピン移行を起こすことに初めて成功した。白金の表面にフタロシアニンを吸着させた細線がスピンホール磁気抵抗効果を示すことを見出し、白金から分子へのスピン移行が起きていることを確かめた。
スピントロニクスの方法を活用しスピン液晶状態の特徴を初めて解明 0403電子応用

スピントロニクスの方法を活用しスピン液晶状態の特徴を初めて解明

スピントロニクス分野のスピン流による熱電効果を活用し、輸送測定でスピンネマティック(スピン液晶)磁性体に特有のマグノン分子の兆候を検出することに初めて成功した。
スピントロニクス集積回路技術を用いて、 高性能と超低消費電力を両立する 不揮発マイコンを世界で初めて実証 0400電気電子一般

スピントロニクス集積回路技術を用いて、 高性能と超低消費電力を両立する 不揮発マイコンを世界で初めて実証

スピン移行トルク型MTJ(磁気トンネル接合素子)とSi-CMOS技術を組み合わせた集積回路技術を用いて、高性能(動作周波数200MHz)と超低消費電力(平均電力50μW以下)を両立する不揮発マイコンを世界で初めて実証した。
熱による高速・高効率な磁極制御、MRAMとAIハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて 0403電子応用

熱による高速・高効率な磁極制御、MRAMとAIハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて

ナノサイズの磁石を熱により磁極の効率的な制御を実現した。その結果、ナノサイズの磁石が高周波電気信号を増幅するという新たな現象を発見した。
ad
タイトルとURLをコピーしました