シリコンウェハー

シリコン上の縦型GaNデバイス実現に道を拓く低抵抗バッファー層を開発 — GaNのエピタキシャル成長と縦方向の電気伝導を両立 —

2026-06-15 物質・材料研究機構NIMS（物質・材料研究機構）は、安価なシリコン（Si）ウェハー上で縦型窒化ガリウム（GaN）デバイスを実現するための新しいエピタキシャル成膜技術を開発した。研究チームは、Siと窒素からなる極薄の「ア...

2026-06-16

0403電子応用

マサチューセッツ工科大学が3Dチップを開発（MIT engineers grow high-rise 3D chips）

2024-12-18 マサチューセッツ工科大学MITのエンジニアチームは、電子デバイスの層をシームレスに積み重ねることで、より高速で高密度、強力なコンピュータチップを作成する方法を開発しました。この手法では、半導体粒子を直接他の半導体層の上...

2024-12-21

0403電子応用