グラフェンデバイス積層法

0403電子応用

六方晶窒化ホウ素の大面積合成とグラフェン集積デバイスを実現~大きな絶縁性二次元材料で半導体産業の未来へ貢献~

2023-02-07 産業技術総合研究所 ポイント グラフェンを始めとする原子の厚みしかもたない薄いシートが次世代半導体として大きな注目を集めているが、大面積の絶縁性二次元材料が必要とされていた。 本研究では六方晶窒化ホウ素と呼ばれる絶縁性...
ad
タイトルとURLをコピーしました