0403電子応用 電場による磁化反転の新たな経路を発見～素子設計の自由度拡張、低消費電力メモリ素子の実現へ弾み～
2025-05-30 東京科学大学東京科学大学と神奈川県立産業技術総合研究所の研究チームは、マルチフェロイック物質BiFe₀.₉Co₀.₁O₃の単結晶薄膜において、印加電場と垂直な方向の磁化反転を初めて観測しました。従来、電場と磁化の方向は...
磁化反転
0403電子応用 
0403電子応用 酸素原子のわずかな「ズレ」で磁石を反転～強磁性ワイル酸化物「単層」における高効率磁化反転で低消費電力磁気メモリへ道を拓く～
2025-05-14 東京大学東京大学大学院工学系研究科とNTT、日本原子力研究開発機構、北海道大学、熊本大学の共同研究チームは、強磁性ワイル酸化物「SrRuO₃（SRO）」の単層薄膜において、電流のみで磁化の向きを反転させることに成功しま...
0403電子応用 磁化反転に応用可能な新原理トルクを世界で初めて実証 ～磁気メモリの大幅な省電力化が期待～
2022-04-18 日本原子力研究開発機構先端基礎研究センターポイント 磁気制御研究の歴史上未観測だったワイル点に起因した新原理トルクの実証に世界で初めて成功。 新原理を用いることにより従来よりも高効率に電気による磁化反転が可能。 磁気メ...
1700応用理学一般 電流を流すとN極とS極が反転する磁石を実現
強磁性半導体単層極薄膜における低電流密度磁化反転現象2019-06-13 東京大学東京大学大学院工学系研究科のJiang Miao(姜淼) 大学院生（博士課程２年）、大矢忍 准教授、田中雅明 教授のグループは、小さな電流を流すだけでN極とS...
0403電子応用 マルチフェロイクス材料における電流誘起磁化反転を実現
強誘電性を持つ半導体のGeTe（Ge：ゲルマニウム、Te：テルル）に磁性元素のMn（マンガン）を添加したマルチフェロイクス材料の薄膜に電流を流すことで、ラシュバ・エデルシュタイン効果により、磁化が反転する現象を観測した。