0403電子応用 マルチフェロイクス材料における電流誘起磁化反転を実現
強誘電性を持つ半導体のGeTe（Ge：ゲルマニウム、Te：テルル）に磁性元素のMn（マンガン）を添加したマルチフェロイクス材料の薄膜に電流を流すことで、ラシュバ・エデルシュタイン効果により、磁化が反転する現象を観測した。
0403電子応用
0403電子応用 
0403電子応用 磁気のない金属からナノ薄膜磁石を作ることに成功
磁力が微弱でも磁気を保持する力が強いナノ薄膜磁石の開発に成功し、ナノ薄膜磁石を用いた素子の基本特性を室温で観測することに成功した。
0403電子応用 次世代の指向性白色光源の開発に成功 ～ナノアンテナで明日を照らす～
金属ナノシリンダー周期アレイ構造を蛍光体基板上に作製することで、蛍光の方向を揃える「ナノアンテナ」として働き、青色と蛍光の放射方向を揃え、指向性を持った白色光を作り出すことができた。また、アレイのない基板に比べ最大7倍にまで高められた。
0403電子応用 熱による高速・高効率な磁極制御、ＭＲＡＭとＡＩハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて
ナノサイズの磁石を熱により磁極の効率的な制御を実現した。その結果、ナノサイズの磁石が高周波電気信号を増幅するという新たな現象を発見した。
0403電子応用 SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発
炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2 kV耐電圧（耐圧）クラスの縦型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した。
0403電子応用 強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明
強誘電体であるＨｆＯ２（二酸化ハフニウム）をゲート絶縁膜とするトランジスターがより低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した。
0403電子応用 ＥＵＶリソグラフィの性能を向上する露光モジュールを開発
産学共同実用化開発事業ＮｅｘＴＥＰの成果2018/12/04 科学技術振興機構,大阪大学 ,東京エレクトロン九州株式会社ポイント 最先端半導体デバイス製造のための極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィでは、露光光源強度不足で生産性が低く、高コス...
0403電子応用 ナノスケールの光による新しい電子輸送現象を解明
プラズモニックナノ構造体を用いた可視光の効率的利用に向けて2018/11/30 科学技術振興機構ポイント 金属ナノ構造体の表面プラズモン共鳴は効率的な光の利用を可能にする技術として応用が期待されているが、ナノスケールの超微小空間に閉じ込め...
0402電気応用 超伝導体を利用した新たな環境発電機能を実証
第二種超伝導体の渦糸液体状態注を利用した新たな環境発電機能を実証した。
0403電子応用 全固体電池実現のネックを解明
正極材料コバルト酸リチウム（LiCoO2）と固体電解質リン酸リチウム（Li3PO4）との界面を作製し、非破壊で測定できる表面X線回折を用いて界面構造を精密に調べた。低い抵抗を示す界面は原子が規則的に配列していることを明らかにした。
0403電子応用 高感度でやわらかいｐＨセンサーを開発
電荷結合素子（ＣＣＤ）・転送・蓄積構造を世界で初めてフレキシブルフィルム上に実現したことにより、通常の４倍以上の感度のｐＨセンサーを薄く柔らかく作ることに成功。また同時に安定なフレキシブル温度センサーも集積した。
0403電子応用 室温で巨大な応答を示す”ワイル反強磁性体”の薄膜化に成功
室温において大きな異常ホール効果を自発的に示す反強磁性体薄膜の開発に成功。反強磁性体薄膜はシリコン基板上に作製でき、室温駆動する。磁気デバイスの低消費電力化・高密度化・高速化や、反強磁性体メモリ素子・熱電変換素子の開発進展が期待される。
