0403電子応用 磁性絶縁体を用いてグラフェンのスピンの向きを制御
グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実現にかかせない電子スピンの向きを制御する新技術の開発に成功しました。
0403電子応用
0403電子応用 
0403電子応用 シリコンチップ上のグラフェン高速発光素子を開発
シリコンチップ上で動作する高速なグラフェン発光素子を開発し、その発光素子を使った光通信を実演するとともに、光のオン／オフを高速に変化（高速変調）できるメカニズムも新たに発見しました。
0403電子応用 大電流で連続安定動作する絶縁ゲート型GaNパワートランジスタを開発
従来のGaNパワートランジスタ技術では困難であった連続安定動作を20Aの大電流で可能とする絶縁ゲート型GaNパワートランジスタを開発しました。
0403電子応用 磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現
超低消費電力高性能ワーキングメモリとしての実用化が期待されるＳＴＴ－ＭＲＡＭの主要構成要素である磁気トンネル接合素子の新しい方式を提案し、世界最小となる一桁ナノメートルサイズでの動作実証に成功しました。
0403電子応用 次世代不揮発性磁気メモリーの新しい記録技術を開発
配線の一部材料に磁石を用いることで高信頼・高性能化2018-02-13 産総研ポイント 面内電流型磁気メモリーにおいて異常ホール効果を利用した新しい記録技術を実現 配線の一部に安価な鉄を基本とした磁石材料を用いることで高い記録効率が得られる...
0403電子応用 世界初、印刷エレクトロニクスに最適な半導体型CNTの高純度製造技術を確立
2018年度から名城ナノカーボンがサンプル販売開始2018-02-08 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構,日本電気株式会社,国立研究開発法人産業技術総合研究所,株式会社名城ナノカーボンNEDOプロジェクトの成果をもとに、日...
0403電子応用 6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発
―鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネ化に貢献―2018-01-31 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構NEDOプロジェクトにおいて、三菱電機（株）は、独自の1チップ構造と新パッケージの採用により、従来の...
0403電子応用 たった1個の電子で1ビットを表現する世界初のデジタル変調を実現
－広い周波数範囲で正確に任意波形の極微小交流電流を発生可能に－2018-02-02 産総研ポイント 電流の最小単位である電子1個でオン・オフを表現するデジタル変調技術を開発 ナノ加工技術で作製した単一電子素子を用いて電子を1個ずつ制御 極微...
0403電子応用 厚さわずか数分子、2次元有機単結晶ナノシートの大面積成膜に成功
有機半導体インクを用いた簡便な印刷技術によって、わずか数分子層の厚みからなる大面積2次元有機単結晶ナノシートを製膜するプロセスを開発し、同ナノシートを用いた有機電界効果トランジスタにおいて、世界最高レベルの応答周波数を達成。
0403電子応用 光子・粒子・電磁波用超伝導検出器の画素数を飛躍的に増大する読出回路
超伝導検出器に関し、1本の読出線上に従来の5倍となる1000画素以上の信号を載せることができる技術を開発した。
0403電子応用 薄膜トランジスタアレイの検査技術を大幅に高速・大面積化
－印刷法で製造したディスプレーなどの駆動回路の非破壊インライン検査が可能に－2018/1/15産総研 薄膜トランジスタ（TFT）アレイの駆動状態を光学イメージ化して非破壊で一括検査する技術を大幅に改良 ディスプレーなど情報出力機器のTFTと...
0403電子応用 高温で安定化する新しいダイヤモンド量子発光体の作製に成功
～量子ネットワークへの応用に期待～2017-12-26 東京工業大学,科学技術振興機構（ＪＳＴ）ポイント ダイヤモンド結晶内でスズ（Ｓｎ）と空孔（Ｖ）からなるＳｎＶカラーセンターを発見。 ２０００℃を超える高温高圧条件で加熱処理することによ...