0403電子応用 SiCパワー半導体技術を用いた高出力高安定化電源の開発
次世代のパワー半導体デバイスである「SiC MOSFET」を用いて、高出力と高い安定性を両立しつつ、出力電流の方向や大きさを広い範囲で変えられるコンパクトなパルス電源を開発した。
0403電子応用
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0403電子応用 隣り合わないスピン量子ビット間の量子もつれ生成に成功
３つの電子スピン量子ビットを擁する半導体量子ドットデバイスにおいて、隣り合わない（非隣接）量子ビット間に「量子もつれ状態」を生成・観測することに成功した。
0403電子応用 スピン流スイッチの動作原理を発見・実証
スピントロニクスを利用したデバイスは、高速かつ不揮発なメモリーや、超高密度なハードディスクとして身近になりつつある。スピン流の流れやすさを制御するスピン流スイッチの原理を発見・実証した。
0403電子応用 非破壊で次世代パワーデバイス材料の結晶欠陥を検出できる技術を開発
ラマンマッピング像から窒化ガリウム（GaN）半導体結晶の欠陥を検出する技術を開発した。
0403電子応用 トポロジカル母物質のキャリア制御に成功
非散逸なトポロジカル伝導現象の低消費電力エレクトロニクスへの応用に向けて2018-05-19 東京大学 理化学研究所 科学技術振興機構（ＪＳＴ）ポイント トポロジカル物質の母物質にあたるトポロジカル半金属について、化学置換と電界効果によるキ...
0403電子応用 トポロジカルな量子バレー流を観測
高移動度グラフェン超格子デバイスの作製により成功 量子エレクトロニクスへの展開に期待2018-05-19 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 国立大学法人 群馬大学NIMSと群馬大学は、高い移動度を持つグラフェン超格子デバイスを作製し、ト...
0403電子応用 窒化ガリウム (GaN) ウエハ全面の「ゆがみ」をすばやく詳細に可視化する新手法を開発
窒化ガリウム (GaN) 半導体の直径2インチウエハ結晶面の「ゆがみ」を、ウエハ全面を一度に、しかも数10マイクロメートルの空間分解能で可視化する新たな評価手法を開発しました。
0403電子応用 全固体電池向けシリコン負極の高安定動作に成功
ナノ多孔構造の導入により実現 高容量化による電気自動車の航続距離大幅延伸へ期待2018/05/14 国立研究開発法人 物質・材料研究機構NIMSは、安全で高い信頼性を有する全固体リチウム電池の高容量化に貢献する技術として、ナノ多孔構造を導入...
0403電子応用 わずか２分子の厚みの超極薄×大面積の半導体を開発
半導体の膜厚を分子レベルで制御するため、π電子骨格に連結したアルキル鎖の長さが自由に変えられるという特長を活かす、新たな製膜法を開発しました。従来の常識を大きく超える大面積にわたって究極の薄さをたもつ、きわめて高均質かつ高性能な超極薄半導体が得られました。
0403電子応用 生体内で神経を光刺激する世界最小のワイヤレス型デバイスを開発
赤外光によるエネルギー伝送方式により、世界最小の生体埋め込み対応ワイヤレス型光刺激デバイスを開発しました。
0403電子応用 磁性絶縁体を用いてグラフェンのスピンの向きを制御
グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実現にかかせない電子スピンの向きを制御する新技術の開発に成功しました。
0403電子応用 シリコンチップ上のグラフェン高速発光素子を開発
シリコンチップ上で動作する高速なグラフェン発光素子を開発し、その発光素子を使った光通信を実演するとともに、光のオン／オフを高速に変化（高速変調）できるメカニズムも新たに発見しました。