0403電子応用

窒化ガリウム (GaN) 半導体の直径2インチウエハ結晶面の「ゆがみ」を、ウエハ全面を一度に、しかも数10マイクロメートルの空間分解能で可視化する新たな評価手法を開発しました。

半導体の膜厚を分子レベルで制御するため、π電子骨格に連結したアルキル鎖の長さが自由に変えられるという特長を活かす、新たな製膜法を開発しました。従来の常識を大きく超える大面積にわたって究極の薄さをたもつ、きわめて高均質かつ高性能な超極薄半導体が得られました。

赤外光によるエネルギー伝送方式により、世界最小の生体埋め込み対応ワイヤレス型光刺激デバイスを開発しました。

グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実現にかかせない電子スピンの向きを制御する新技術の開発に成功しました。

シリコンチップ上で動作する高速なグラフェン発光素子を開発し、その発光素子を使った光通信を実演するとともに、光のオン／オフを高速に変化（高速変調）できるメカニズムも新たに発見しました。

超低消費電力高性能ワーキングメモリとしての実用化が期待されるＳＴＴ－ＭＲＡＭの主要構成要素である磁気トンネル接合素子の新しい方式を提案し、世界最小となる一桁ナノメートルサイズでの動作実証に成功しました。

配線の一部材料に磁石を用いることで高信頼・高性能化2018-02-13　産総研ポイント 面内電流型磁気メモリーにおいて異常ホール効果を利用した新しい記録技術を実現 配線の一部に安価な鉄を基本とした磁石材料を用いることで高い記録効率が得られる...