0403電子応用

ダイヤモンドパワーデバイスのアンペア級の高速スイッチング動作を確認~次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体~ 0403電子応用

ダイヤモンドパワーデバイスのアンペア級の高速スイッチング動作を確認~次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体~

2025-03-24 産業技術総合研究所産業技術総合研究所と本田技術研究所は、自動車駆動用途に向けた高電圧・大電流対応のダイヤモンドMOSFETを開発した。これは2.5アンペア動作で立下り時間19ナノ秒、立上り時間32ナノ秒の高速スイッチン...
マイクロ波と光量子ビットの架け橋となる低ノイズ変換器を開発(Low-Noise Transducers to Bridge the Gap Between Microwave and Optical Qubits) 0403電子応用

マイクロ波と光量子ビットの架け橋となる低ノイズ変換器を開発(Low-Noise Transducers to Bridge the Gap Between Microwave and Optical Qubits)

2025-03-19 カリフォルニア工科大学(Caltech)カリフォルニア工科大学の研究チームは、マイクロ波フォトンを光フォトンに効率的かつ低ノイズで変換するオンチップ型トランスデューサを開発しました。このデバイスは、シリコン製の微小ビー...
新半導体から世界最小のLEDを開発(World’s smallest LEDs from a new semiconductor) 0403電子応用

新半導体から世界最小のLEDを開発(World’s smallest LEDs from a new semiconductor)

2025-03-20 浙江大学(ZJU)浙江大学とケンブリッジ大学の研究者らは、ペロブスカイト半導体を用いた世界最小のLED(発光ダイオード)「ナノPeLED」を開発しました。この新技術により、ピクセルサイズはわずか90ナノメートルまで縮小...
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次世代3Dトランジスタがエネルギー効率の高い電子機器を変革(Next-Gen 3D Transistors Transform Energy-Efficient Electronics) 0403電子応用

次世代3Dトランジスタがエネルギー効率の高い電子機器を変革(Next-Gen 3D Transistors Transform Energy-Efficient Electronics)

2025-03-19 カリフォルニア大学サンタバーバラ校 (UCSB)​カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)の研究者たちは、二次元(2D)半導体を用いた新しい三次元(3D)トランジスタ「NXFET」を開発し、エネルギー効率と性能の...
高スイッチング周波数動作の実現に向けたパワーデバイスの高周波特性評価を手軽に~パワーデバイスのSパラメータを汎用的に測定できるシステムを開発~ 0403電子応用

高スイッチング周波数動作の実現に向けたパワーデバイスの高周波特性評価を手軽に~パワーデバイスのSパラメータを汎用的に測定できるシステムを開発~

2025-03-19 産業技術総合研究所産業技術総合研究所(産総研)は、株式会社テクノプローブおよびキーサイト・テクノロジー株式会社と共同で、表面実装型パワーデバイスの高周波特性を簡便かつ汎用的に評価できるシステムを開発しました。 このシス...
超広帯域フォトニックチップが光信号を増幅 (Ultra-broadband Photonic Chip Boosts Optical Signals) 0403電子応用

超広帯域フォトニックチップが光信号を増幅 (Ultra-broadband Photonic Chip Boosts Optical Signals)

2025-03-18 スイス連邦工科大学ローザンヌ校 (EPFL)スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL)とIBMリサーチの研究者は、従来の光増幅器を超える性能を持つフォトニックチップベースの光増幅器を開発した。この増幅器は、ガリウムリン...
パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を拡大~一般的な3本足パッケージのパワー半導体にも適用可能に~ 0403電子応用

パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を拡大~一般的な3本足パッケージのパワー半導体にも適用可能に~

2025-03-17 東京大学東京大学生産技術研究所の高宮真教授らの研究グループは、パワー半導体のスイッチング損失を自動で低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を拡大した。従来は4本足パッケージに限られていたが、今回の改良により、一般的な3...
基板工学によるパワーエレクトロニクスの進歩(NREL Researchers Advance Substrate Engineering Pathways To Improve Power Electronics) 0403電子応用

基板工学によるパワーエレクトロニクスの進歩(NREL Researchers Advance Substrate Engineering Pathways To Improve Power Electronics)

2025-03-17 米国国立再生可能エネルギー研究所(NREL)米国立再生可能エネルギー研究所(NREL)の研究者たちは、電力エレクトロニクスの性能向上を目指し、基板工学の新たな道を探求している。特に、広帯域ギャップ材料である窒化アルミニ...
パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を約5倍に拡大します~一般的な3端子パッケージのパワー半導体にも適用可能に~ 0403電子応用

パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を約5倍に拡大します~一般的な3端子パッケージのパワー半導体にも適用可能に~

2025-03-17 新エネルギー・産業技術総合開発機構図1 開発した自動波形変化ゲート駆動ICのチップ写真(提供:東京大学生産技術研究所)​国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、東京大学生産技術研究所を中心と...
シングルドメイン強誘電体薄膜の形成に成功 (Researchers Achieve Single-domain Ferroelectric Thin Films Through Simple Temperature Control) 0403電子応用

シングルドメイン強誘電体薄膜の形成に成功 (Researchers Achieve Single-domain Ferroelectric Thin Films Through Simple Temperature Control)

2025-03-05 中国科学院 (CAS)The conception of neuromorphic computing (left from Baidu) and pattern recognition accuracy of a s...
電源不要の次世代ARディスプレイ技術 ~「Beaming Display」方式による薄型ARメガネ実現に向けて~ 0403電子応用

電源不要の次世代ARディスプレイ技術 ~「Beaming Display」方式による薄型ARメガネ実現に向けて~

2025-03-06 東京大学,大阪大学,科学技術振興機構東京大学、大阪大学、科学技術振興機構(JST)の共同研究チームは、次世代の拡張現実(AR)表示技術である「Beaming Display(BD)」方式に対応した薄型受光システムを開発...
世界初、超低遅延通信を実現するポスト5G対応半導体チップを開発しました~遅延時間を50分の1に短縮、ローカル5Gによる産業DXを加速します~ 0403電子応用

世界初、超低遅延通信を実現するポスト5G対応半導体チップを開発しました~遅延時間を50分の1に短縮、ローカル5Gによる産業DXを加速します~

2025-03-04 新エネルギー・産業技術総合開発機構,株式会社マグナ・ワイヤレス図1 開発したポスト5Gチップ​国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、株式会社マグナ・ワイヤレス、大阪大学、情報通信研究機構(N...
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