0403電子応用

光で動くナノスケールの電流を利用して新技術を推進する(Harnessing light-powered nanoscale electrical currents to propel emerging technologies) 0403電子応用

光で動くナノスケールの電流を利用して新技術を推進する(Harnessing light-powered nanoscale electrical currents to propel emerging technologies)

2024-02-08 ロスアラモス国立研究所(LANL)◆従来の微細電子構造は、電気の流れを制御するトランジスタによって、高度なコンピュータから日常のデバイスまでを動かしている。しかし、集積回路が速度や適応性の面で限界に達している中、ロスア...
2024-02-08
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電荷のダイナミクスを解読(Deciphering dynamics of electric charge) 0403電子応用

電荷のダイナミクスを解読(Deciphering dynamics of electric charge)

2024-02-06 オークリッジ国立研究所(ORNL)◆オークリッジ国立研究所のマルティ・チェカとリアム・コリンズによる研究は、電荷の微視的な振る舞いを理解する画期的な手法を開拓し、その成果は『Nature Communications』...
2024-02-07
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極性／反極性の半導体単結晶薄膜を作り分けられる分子技術を開発 ～アルキル鎖の偶奇効果により非対称分子層間の配列を自在に制御～ 0403電子応用

極性／反極性の半導体単結晶薄膜を作り分けられる分子技術を開発 ～アルキル鎖の偶奇効果により非対称分子層間の配列を自在に制御～

2024-01-29 東京大学発表のポイント◆ 分子が全て同じ向きにならんだ分子層どうしを、さらに同方向に積層して極性薄膜を構築。◆ 得られた極性単結晶薄膜による光第二次高調波発生と高性能トランジスタ動作を確認。◆ 有機半導体の電子機能と光...
2024-01-29
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世界初のn型導電性チャネルダイヤモンド電界効果トランジスタを開発～ダイヤモンドCMOS集積回路への道～ 0403電子応用

世界初のn型導電性チャネルダイヤモンド電界効果トランジスタを開発～ダイヤモンドCMOS集積回路への道～

2024-01-25 物質・材料研究機構NIMSは、世界で初めてダイヤモンドのn型チャネル動作による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) を開発しました。概要 NIMSは、世界で初めてダイヤモンドのn型チャネル動作による金...
2024-01-25
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希少な電子の研究：複雑な酸化物薄膜中の低濃度の電子を研究する方法を新研究が実証(Studying Scarce Electrons：New research demonstrates how to study low concentrations of electrons in complex oxide films) 0403電子応用

希少な電子の研究：複雑な酸化物薄膜中の低濃度の電子を研究する方法を新研究が実証(Studying Scarce Electrons：New research demonstrates how to study low concentrations of electrons in complex oxide films)

2024-01-24 パシフィック・ノースウェスト国立研究所(PNNL)◆最新の研究では、半導体内の微量ドーパントにより引き起こされる複雑な電子挙動を理解するため、X線ベースの共鳴フォトエミッション分光法が使用されました。◆通常のフォトエレ...
2024-01-25
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有機半導体を作る新しい持続可能な方法(New sustainable method for creating organic semiconductors) 0403電子応用

有機半導体を作る新しい持続可能な方法(New sustainable method for creating organic semiconductors)

2024-01-22 リンショーピング大学◆リンシェーピング大学の研究者は、有機エレクトロニクス（太陽電池、人工ニューロン、柔らかいセンサーなど）に使用される導電インクの製造において、環境に優しい新しい手法を開発しました。◆この研究は、有機...
2024-01-23
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TiO₂に格子整合した高品質ルチル型GeₓSn₁ーₓO₂デバイスの動作実証～高耐圧パワーデバイスへの応用～ 0403電子応用

TiO₂に格子整合した高品質ルチル型GeₓSn₁ーₓO₂デバイスの動作実証～高耐圧パワーデバイスへの応用～

2024-01-22 京都大学材料化学専攻の高根倫史 博士後期課程学生、田中勝久 同教授、物質・材料研究機構 大島孝仁 主任研究員、原田尚之 同独立研究者、立命館大学総合科学技術研究機構 金子健太郎 教授・RARAフェロー／Patentix...
2024-01-22
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自己発電センサーが自動的に磁気エネルギーを収集(Self-powered sensor automatically harvests magnetic energy) 0403電子応用

自己発電センサーが自動的に磁気エネルギーを収集(Self-powered sensor automatically harvests magnetic energy)

2024-01-18 マサチューセッツ工科大学(MIT)◆MITの研究者は、環境からエネルギーを収穫できるバッテリーフリーで自己駆動のセンサーを開発しました。このセンサーは充電や交換の必要がなく、特別な配線も不要なため、船のエンジンなどの難...
2024-01-19
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省エネルギーAI チップの開発 (TUM professor develops an energy-saving AI chip) 0403電子応用

省エネルギーAI チップの開発 (TUM professor develops an energy-saving AI chip)

2023-10-26 ドイツ連邦共和国・ミュンヘン工科大学(TUM)・ TUM、Bosch およびフラウンホーファー・フォトニック・マイクロシステム研究所(IPMS)が、既存のインメモリーコンピューティングアプローチの 2 倍の性能を有する...
2024-01-12
0403電子応用
BNL ラボにおける極端紫外線リソグラフィーの輝ける未来 (A Bright Future for Extreme UV Lithography at Brookhaven Lab) 0403電子応用

BNL ラボにおける極端紫外線リソグラフィーの輝ける未来 (A Bright Future for Extreme UV Lithography at Brookhaven Lab)

2023-11-08 アメリカ合衆国・ブルックヘブン国立研究所(BNL)・ BNL のユーザー施設 Center for Functional Nanomaterials(CFN)が、極端紫外線(EUV)リソグラフィーによる高性能パターン作...
2024-01-12
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ムーアの法則とエレクトロニクスの進化をさらに引き出す次元の統合(Integrating dimensions to get more out of Moore’s Law and advance electronics) 0403電子応用

ムーアの法則とエレクトロニクスの進化をさらに引き出す次元の統合(Integrating dimensions to get more out of Moore’s Law and advance electronics)

2024-01-10 ペンシルベニア州立大学(PennState)◆ペンシルバニア州立大学の研究者らは、ムーアの法則による電子デバイスのスケーリング限界を乗り越える手段として、2D材料と3D統合を提案しています。現行のチップ技術では、トラン...
2024-01-11
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サブナノ厚の半導体のみを単離する手法～ランダムに基板上へ剥離された2D半導体を短時間で選別してデバイス作製へと繋ぐ方法～ 0403電子応用

サブナノ厚の半導体のみを単離する手法～ランダムに基板上へ剥離された2D半導体を短時間で選別してデバイス作製へと繋ぐ方法～

2024-01-10 東京大学発表のポイント 溶媒内で超音波処理を行うことで、わずか1分という短時間でサブナノスケール厚である2次元半導体の単層を基板上に単離させることに成功しました。 単層と同時に基板上に転写されてしまう99％の不要なバル...
2024-01-10
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