2004放射線利用 高熱を受けた変性指紋試料からの指紋検出に成功～新たな指紋検出法による個人特定率向上に期待～
2026-01-29 理化学研究所,兵庫県立大学理化学研究所と兵庫県立大学の共同研究グループは、従来の指紋検出法では困難だった高熱を受けた変性指紋試料からの指紋検出法を開発しました。これまでの手法は主に有機物を指標としていたため、高温で有機...
SPring-8
2004放射線利用 
2000原子力放射線一般 リアルタイムで見えた！3000℃の世界で起こる物質の変化～SPring-8が照らす原子の動き、安全性の高い燃料や新規材料の開発へ～
2026-01-26 日本原子力研究開発機構,福井大学,東京科学大学,量子科学技術研究開発機構日本原子力研究開発機構（原子力機構）などの研究チームは、大型放射光施設SPring-8を用いて、3000℃を超える超高温環境下で物質が溶け、反応し...
0501セラミックス及び無機化学製品 百年以上前から経験的に用いられてきた鉛蓄電池添加剤の効果を先端計測で解明〜微量アンチモンが正極構造を安定化する原子レベルの仕組みを可視化〜
2026-01-16 京都大学京都大学とGSユアサの共同研究グループは、鉛蓄電池正極に微量添加されるアンチモンが寿命を延ばす仕組みを、放射光X線を用いた先端計測により原子レベルで解明した。1859年の発明以来用いられてきた鉛蓄電池では、正極...
0402電気応用 全固体リチウム硫黄電池の内部反応を高解像度で可視化する手法を確立～高速充放電とサイクル安定性を阻害する因子を解明～
2025-10-24 東北大学東北大学多元物質科学研究所の木村勇太・大野真之准教授らは、放射光X線CTを用いて全固体リチウム硫黄電池（SSLSB）内部の反応分布をマイクロメートル精度で可視化する手法を確立した。SPring-8の高輝度X線に...
0102材料力学 「破壊に繋がるゴム内部構造の分布の違い」の三次元可視化に成功～耐摩耗性能を向上させたタイヤ開発に活用へ～
2025-07-25 京都大学住友ゴムと京都大学などの研究チームは、大型放射光施設SPring-8を活用し、ゴムが破壊に至る内部構造の変化を三次元的に可視化することに成功しました。従来困難だった破壊の起点や原因となるナノ・ミクロスケールの構...
0102材料力学 木材が曲がる瞬間をナノ・ミクロの世界で初めて観察～放射光で明かされたマルチスケール構造変化～
2025-07-25 京都大学木材を曲げた際の内部構造変化を、SPring-8の放射光を用いて世界で初めてリアルタイムで観察することに成功した。京都大学や産総研などの研究チームは、小角X線散乱（SAXS）と広角X線回折（WAXD）を使い、木...
0501セラミックス及び無機化学製品 ヒメダイヤの新たな応用－蛍光X線ホログラフィーの高圧下での測定に成功～特定元素周りの原子位置の3次元的可視化～
2025-07-22 愛媛大学愛媛大学などの研究チームは、蛍光X線ホログラフィーによる高圧下測定を世界で初めて実現しました。従来は信号が極めて微弱なため高圧下での測定が困難でしたが、SPring-8の高輝度X線とナノ多結晶ダイヤモンド（ヒメ...
0402電気応用 超高容量かつ低コストの鉄系全固体フッ化物イオン二次電池正極材料の開発
2025-06-20 東京科学大学東京科学大学などの研究チームは、鉄・カルシウム・酸素を主成分とする新規正極材料Ca₀.₈Sr₀.₂FeO₂Fₓを開発。全固体フッ化物イオン二次電池に適用し、従来のリチウムイオン電池の2倍超にあたる580 m...
2004放射線利用 放射光のあらゆる表情を一括撮影～アンジュレータからの放射パターンの全体像を世界ではじめてエネルギーごとに可視化～
2025-04-30 高輝度光科学研究センター,理化学研究所SPring-8の研究チームは、放射光の発生源であるアンジュレータから試料に至るまでの全光学系を一括して撮影・解析できる新たなイメージング手法を開発しました。従来はビームラインご...
1702地球物理及び地球化学 地震後の地殻変動を支配するプロセスを解明
2024-06-25 愛媛大学愛媛大学地球深部ダイナミクス研究センターの大内智博准教授、入舩徹男教授と高輝度光科学研究センターの肥後祐司研究員らの研究チームは、大地震後におきる地殻変動（余効変動）のプロセス解明につながる実験に成功しました。...
0500化学一般 高速酸素脱離反応の可視化 材料設計指針の構築に貢献
2023-05-02 東京工業大学要点 自動車の排ガス浄化に有効な酸素貯蔵材料における、高速酸素脱離反応を可視化。 瞬きの速度で移り変わる高速反応を時分割X線回折測定で連続撮影することに成功。 機能性材料の設計指針の構築や反応最適化につなが...
0403電子応用 高輝度放射光で解き明かすシリコン酸化膜の成長過程 ～ナノデバイスの世界を支配する界面欠陥とキャリア捕獲～
2022-12-19 日本原子力研究開発機構,東北大学,福井工業高等専門学校【発表のポイント】 半導体デバイスの作製には、酸化反応を制御し、欠陥の少ない良質なシリコン酸化膜を作製することが不可欠。しかし、ナノレベルの薄膜領域におけるシリコン...