GAAトランジスタ

先端ロジック半導体のゲート絶縁膜の新技術を開発:界面層の薄層化とダイポール層への新規材料の導入によりトランジスタの性能向上へ 0403電子応用

先端ロジック半導体のゲート絶縁膜の新技術を開発:界面層の薄層化とダイポール層への新規材料の導入によりトランジスタの性能向上へ

2026-06-09 東京大学技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC)は、NEDO事業の一環として、2nm世代以降(Beyond 2nm)の先端ロジック半導体向け新型ゲート絶縁膜技術を開発した。研究では、ゲート絶縁膜中のシリコン酸化...
直径1ナノメートルの半導体ナノチューブを合成――原子レベルで制御された次世代トランジスタのチャネル材料―― 0403電子応用

直径1ナノメートルの半導体ナノチューブを合成――原子レベルで制御された次世代トランジスタのチャネル材料――

2026-06-05 東京大学,産業技術総合研究所,筑波大学,大阪大学,科学技術振興機構東京大学、産業技術総合研究所、筑波大学、大阪大学らの共同研究チームは、窒化ホウ素ナノチューブ(BNNT)内部のナノ空間を利用し、直径約1ナノメートルとい...
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