縦型GaNデバイス

2026-06-15 物質・材料研究機構NIMS（物質・材料研究機構）は、安価なシリコン（Si）ウェハー上で縦型窒化ガリウム（GaN）デバイスを実現するための新しいエピタキシャル成膜技術を開発した。研究チームは、Siと窒素からなる極薄の「ア...