窒化ガリウム

シリコン上の縦型GaNデバイス実現に道を拓く低抵抗バッファー層を開発 — GaNのエピタキシャル成長と縦方向の電気伝導を両立 —

2026-06-15 物質・材料研究機構NIMS（物質・材料研究機構）は、安価なシリコン（Si）ウェハー上で縦型窒化ガリウム（GaN）デバイスを実現するための新しいエピタキシャル成膜技術を開発した。研究チームは、Siと窒素からなる極薄の「ア...

2026-06-16

0403電子応用

新たな高品質窒化ガリウム結晶育成法を開発

2020-11-12 物質・材料研究機構,東京工業大学NIMSは東京工業大学と共同で、次世代パワーデバイスとして期待される窒化ガリウムの結晶成長において、欠陥を大幅に減らして高品質な結晶を得ることのできる新たな技術を開発しました。概要 NI...

2020-11-14

0505化学装置及び設備